IGBT管可以看作由MOSFET和PNP晶体管组成,一般用在高频电源里,是通过MOSFET的G点上加一个正向电压时,MOSFET导通,给PNP晶体管提供一个基级电流,使IGBT导通。
IGBT是第四代逆变技术。绝缘门极晶体管。 MOS管是第三代逆变技术。场效应管。 当然,第四代IGBT焊机技术先进。
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