三代半导体概念？

　　第一代半导体：硅(Si)、锗(Ge)为，特别是Si，构成了一切逻辑器件的基础，我们的CPU、GPU的算力，都离不开Si的功劳。

　　第二代半导体：以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表，其中GaAs在射频功放器件中扮演重要角色，InP在光通信器件中应用广泛。

　　第三代半导体：涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等新兴材料。其中，碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)目前是技术相对较为成熟的材料，而氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)还处在研究起步阶段。

　　一代、二代、三代半导体之间，并非简单的取代关系，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。对于第三代半导体材料而言，一般射频器件主要采用GaN，功率器件主要采用SiC和GaN。

　　第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。