mos管跨导一般是多少？

　　一般是利用I对V的偏导求。

　　注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

　　case1：VdsMOS处于线形区，

　　Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]

　　然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）

　　以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

　　case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，

　　Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]

　　同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）

　　如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5

　　[]^x代表[]的内容的x次方。

　　跨导简介：

　　线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。

　　在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。