igbt三极管主要参数
(1) 集电极-发射极击穿电压UCES,UCES为栅极对发射极短路时,集电极-发射极之间所能承受的最高电压,UCES直接反映了IGBT的耐压能力。
(2) 发射极-集电极击穿电压UECS。UECS为发射极-集电极之间所能承受的最高电压。
IGBT的主要参数
(1)额定集电极—发射极电压u。,。——在室温下,IGBT所允许的 集电极—发射极问电压,一般为其击穿电压U(BR) CEO的60 %~80%。其单位为V;
(2)额定栅极—发射极电压UGER ——在室温下,当 IGBT的集电极—发射极间电压为UCER时,栅极—发射极问允许施加的 电压,一般小于20V。其单位为V;
(3)集电极通态电流Ic——在室温下,当 IGBT导通时,集电极允许通过的 电流的有效值称为IGBT的额定电流,用ICE表示;而允许通过的峰值电流用ICM表示。在电流脉冲宽度为1μs时,ICM≈2ICE,其单位为A;
(4)集电极 功耗PCM ——在室温下,IGBT集电极允许的 功耗。其单位为W;
(5)栅极漏电流 IGEO——在室温下,当 UCE= 0V、栅极—发射极电压为其额定值UGER时,IGBT栅极—发射极间的电流。其单位为μA;
(6)集电极断态电流 ICES一一在室温下,当集电极—发射极间电压为额定值UCER,栅极—发射极电压UGE =0时的集电极电流,即集电极漏电流。其单位为mA;
(7)栅极—发射极开启电压UGE(th)——在室温下,IGBT从关断状态进入导通状态时,栅极—发射极间电压。其单位为V;
(8)集电极—发射极饱和电压UCE(sat)—— 在室温下,集电极—发射极间的电压降,一般为3V以下。其单位为V;
(9)栅极电容C,。,-IGBT栅极—发射极间的输入 电容,一般为3000一 30000pF;
(10)导通延迟时间td——在室温下,栅极-发射极问电压从反向偏置变到UGE=UGE(th)所需的时间。其单位为μs或ns;
(11)电流上升时间tir——在室温下,在导通过程中,从栅极—发射极电压达到开启电压UGE(th)起,到集电极电流达到 ICM所需的时间。其单位为μs或ns;
(12)电压下降时间tuf——在室温下,在导通过程中,从.IGBT的集电极—发射极间电压开始下降起,到集电极—发射极电压达到饱和电压UCE(sat)所需的时间。其单位为vs或ns;
(13)导通时间ton——ton=td+tir+tuf。其单位为μs或ns;
(14)存储时间ts——在室温下,在关断过程中,从IGBT的栅极—发射极开始下降起,到栅极—发射极电压下降到UGE=UGE(th),集电极电流开始下降所需的时间。其单位为μs或ns;
(15)电压上升时间tur——在室温下,在关断过程中,从IGBT的集电极电流开始下降起,到因di/dt的作用产生电压过冲所需的时间。其单位为μs或ns;
(16)电流下降时间tif ——在室温下,在关断过程中,从IGBT的集电极—发射极间产生电压过冲起,到集电极电流下降到集电极—发射极漏电流所需的时间。其单位为μs或ns;
(17)关断时间toff——toff=ts+tur+tif。其单位为μs或ns;
(18) du/dt-在室温下,IGBT不产生误导通,集电极—发射极问所能承受的 的电压上升率。其单位为V/μs;
(19)热阻Rθ——在室温下,单位功耗引起 IGBT管芯的温升。其单位为℃/W;
(20) 允许结温TjM ——IGBT所允许的 结温。其单位为℃。TjM与IGBT的封装形式有关。对于塑封单管IGBT,TjM =125℃;对于模块化封装的IGBT,TjM=150℃。
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