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wafer测试流程详解?

wafer测试流程详解?

作者:admin    来源:未知    发布时间:2024-04-05 11:46    浏览量: 标签: 测试 流程 详解 之前 工序 每颗 Wafer 在后

  每颗IC在后工序之前都必须进行CP(Chip Prober),以验证产品的功能是否正常,并挑出不良的产品和区分性能等级。CP主要设备包括测试机(Tester)和探针台(Prober)。

  测试机

  

wafer测试流程详解?

  主要包括测试主机、测试板(DUT板)、测试软体、数据线、PC主机等。

  操作:1. 确认DUT板、数据线连接正确;

  2. 打开电源,启动PC,进入测试软体;

  3. 打开测试程序;

  4. 打开测试主机电源,此时PC上会显示系统初始化。

  探针卡

  主要部件:真空泵、探针卡、显微镜、打点器、操作软件、8''至4''真空旋钮、托盘(Tray)、旋转手轮等。

  测试前操作:

  1. 确认真空泵和主机电源打开,打开软体初始化系统;

  2. 进入扫描模式,移动Tray到一个角落安装prober card。将prober card安装在探针台上,一端对齐固定架并固定好,整理好数据线,引出接在DUT板上,并注意对应好标号;

  3. 调整预置高度使之降低为0(防止上片时把prober和wafer刮坏);

  

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  4. 清洁工作盘,确认测试wafer size并调节真空旋钮,带好手套讲被测wafer放入tray正中央(先确认wafer缺口方向使IC pin与探针相对应),用真空使wafer吸附在tray上;

  5. 进片,调整预置高度(针压),边上升高度(探针卡固定,tray上升)边观察wafer离probercard的距离,调整到适当的距离时停止上升(wafer和prober距离不能太近以防wafer刮到prober),调节显微镜调到最清晰的视窗,然后把wafer的水平位置扫直;

  6. 填写测试数据,包括wafer size、X、Y步距、测试方法和测试map数据等等(注意X、Y的移动距离、多测的排列顺序应该与prober card的site的排列顺序一致);

  7. 对针痕,微动模式移动wafer,使针尖对准die pad,慢慢调整预置高度(针压),直到可以在die pad上扎出针痕(注意针痕不能太重,高度只能一点一点增加,直至出现针痕马上停止),微动调整针痕的位置,使之一定扎在die pad的中心位置。如果是就得针卡可能会出现个别pad扎不出针痕或不明显,此时一定要查明原因,不能盲目加针压,看是否针尖偏了或短了;

  8. 在wafer周围扎一次针,观察针痕是否偏离,以确认水平是否扫直;

  9. 找到测试第一点位置,单步移动wafer使第一点位置与prober card第一site位置相对应;

  10. 测试开始。测试过程要注意观察是否连续不良或间隔不良,不良时要及时停止观察针痕位置。测试完成后对坏点重测,载入的数据一定是最后测完的数。

  打点操作:

  1. 打点时先更改打点参数,打开打点器并更改步进数值。

  2. 打点器调整可以在wafer 上没有die的位置试打,使墨点的大小适中,然后单步移动到边圈有die的位置试打,墨点一定要打在die的中间位置,大小适中。调整玩抽,用无尘布加酒精把 wafer擦拭干净;

  3. 移动到第一点位置,载入数据开始打点。开始打点时立即停止并检查载入的数据和墨点是否正确,正确则继续打点,否则调整。打点时一定要用显微镜观察是否漏打或墨点是否变化。

  4. 打点完成后在120℃烤箱内烤40min。

  

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